3d

NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制，已实现容量的增加。NAND制造中心附近，美光在2016年投资40亿美元进行扩建。该工厂可能将主要用于研发，设计可生产的更先进的闪存，并尝试新的制造方法，用于日益复杂的堆叠和密集设计，而不是加强目前正在练成的存储芯片的产量。